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半导体激光治疗牙本质过敏症疗效观察
作者:不详  时间:2008-12-22 16:01:50  点击:317次

    【摘 要】 目的 通过临床和扫描电镜观察半导体激光治疗牙本质过敏症的作用,并探讨其作用机制。方法 牙本质过敏的患牙100颗,分为两组,一组用半导体激光治疗,一组用常规氟化钠脱敏。结果 用半 导体激光治疗的患牙其敏感症状立即降低,即刻有效率达96%;而用氟化钠治疗的患牙,即 刻有效率为76%,两者有显著性差异(P<0.01)。扫描电镜显示,用半导体激 光仪照 射后,牙本质小管口被封闭。结论 半导体激光治疗为一种安全、有效、 方便的牙本质过敏症的治疗方法。

  牙本质过敏症是临床上比较常见、难以治愈的牙体疾病。本研究从临床上观察半导体激光对牙本质过敏症的脱敏作用,并且通过扫描电镜,观察半导体激光照射后的牙本质表面的形态改变,为临床治疗该症提供一种新的方法。

    1 材料和方法

    1.1 半导体激光仪治疗的临床实验
    1.1.1 病例选择 选择由磨损所致的咬合面牙本质暴露的过 敏症患者,无龋及其它非龋性疾病,且牙髓、根尖、
牙周及全身条件较好的门诊病人56例, 年龄23~70岁,男19例,女37例,受试牙共100颗,其中实验牙50颗,对照牙50颗。牙 位分布见表1。
    1.1.2 
材料 实验组采用MDC—500型半导体激光仪,其波长 为830nm,激光输出功率最高达500mV,光班直径5mm。对照组用临床上常用的75%氟化钠甘油 局部涂布脱敏。
    1.1.3 操作方法 实验组A:常规隔湿,吹干,用半导体激光仪的光导纤维头对准敏感区,照射180s,波长830nm,激光能量300mV(其中光导纤维棒的传输率为70%,故实际工作能量为210mV)。对照组B:常规隔湿,吹干,在敏感区用蘸有75%氟化钠甘油的小棉球擦拭120s。治疗前后用探针探测敏感区范围,评定疗效。操作均由同一名医生完成。
    1.1.4 疗效评定标准 疼痛程度判断采用石川修二的评定标准[1]。3度:可诱发难以忍受的疼痛;2度:可忍受的疼痛;1度:疼痛较轻微;0度:冷和机械刺激无疼痛。
  疗效评定 显效:治疗前后度数差≥2;有效:治疗前后度数差1;无效:治疗前后度数差值为0。
    1.2 半导体激光仪照射后的牙面扫描电镜观察
  取本院
口腔外科局麻下拔除的埋伏阻生牙1颗,立即蒸馏水冲洗干净,去除表面血迹和软组织,然后置2.5%戊二醛液内备用。该牙根面无龋、无损,用金钢砂片将牙冠从釉牙骨质界处截去,以金钢钻磨去根面牙骨质,再用金钢石砂片从离釉牙骨质界3mm处截取一个牙本质片,厚约3mm。后沿牙根长轴方向将其均剖为二。第一片不作任何处理,为对照组。第二片牙本质表面用半导体激光仪照射3min、300mV,作为实验组。

    2 结果
    2.1 半导体激光临床脱敏疗效
  激光照射组(A组)与常规氟化 甘油治疗组(B组)的疗效比较见表2。经卡方检验表明,激光照射的有效率明显高于氟化钠 涂布治疗(P<0.01)。

表2 两组治疗后不同时间的有效率比较
Tab.2 The efficiency of both groups

测定
时间
显效(牙数 有效(牙数) 无效(牙数) 有效率(%)
A组 B组 A组  B组 A组  B组 A组  B组  P值
即刻 38 0 10 38 2 12 96.00 76.00 <0.01
1周 37 0 10 37 2 12 95.91 75.51 <0.01
2周 34 0 9 23 2 12 95.59 75.53 <0.01
1月 28 0 8 26 6 16 85.71 61.90 <0.05

2.2 半导体激光照射后的牙面扫描电镜表现
  空白对照组牙表 面完整,牙本质小管开放,实验组牙本质小管口被封闭,见附图。

附图 A、B组牙面扫描电镜表现
①A组显示牙本质小管开放;②B组显示牙本质小管封闭
Fig. SEM showed


    ①the opening of the dentinal tubele in control group;②the sealing of the dentinal tubule

    3 讨论
  关于牙本质过敏的机理有3种学说,即神经感受学说,成牙本质组织学说和流体动力学说[2]。目前,多数学者倾向于液体动力学说。液体动力学的
重要意义在于它说明任何能减少牙本质小管内液流量的方法,均可缓解牙本质过敏的症状,降低牙本质的通透性是目前治疗牙本质过敏症的主要方法[3]。
  本实验用半导体激光仪局部照射,即刻有效率达96%。观察1月后,其有效率仍达85.71%,与对照组相比差异显著(P<0.05)。说明半导体激光仪治疗牙本质过敏的疗效优于常规氟化钠脱敏。而且,扫描电镜显示,经半导体激光仪照射后,牙本质小管被堵塞封闭。减少和避免了牙本质小管内液体的流动, 从而达到降低牙本质的通透性,减少牙本质过敏症的目的。目前认为,是激光瞬间产生 的高热效应,使牙本质表面的有机物变性和无机物熔融,而达到封闭牙本质小管的目的[4]。因此,作者认为半导体激光仪的脱敏原理也可能在此。
  1月后患者再次出现症状的原因是多方面的。Pashley[5]报道,CO2激光造成牙本质熔融层的深度为5μm。但是有关半导体激光照射后产生的牙本质熔融层的厚度尚未定论。因此,经半导体激光脱敏后,为保护牙面熔融 层封闭牙本质小管的作用持久而不被很快磨损掉,临床上应采取适当的调牙 合,不用患牙咀嚼硬性食物,纠正夜磨牙习惯,不用硬的牙刷
刷牙等措施。对于1月后复查时再次出现症状的患者,用半导体激发仪再次照射后即刻,症状又缓解,并且再次出现症状的时间延长,疗效维持时间延长。这说明,照射时间长或照射剂量增高,可能有利于提高疗效。
  半导体激光仪治疗牙本质过敏的远期疗效有待进一步观察。MDC—500型半导体激光仪的波长可达830nm,其组织穿透力很强,作用较深,反复照射或提高照射剂量是否会对牙髓组织产生不良影响,其产生的牙本质熔融层厚度如何,以怎样的输出功率,才能产生最适合的厚度封闭牙本质小管,而不对牙髓产生影响,这些都有待于进一步研究。

    来源:互联网

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