【摘 要】 目的 通过临床和扫描电镜观察半导体激光治疗牙本质过敏症的作用,并探讨其作用机制。方法 牙本质过敏的患牙100颗,分为两组,一组用半导体激光治疗,一组用常规氟化钠脱敏。结果 用半 导体激光治疗的患牙其敏感症状立即降低,即刻有效率达96%;而用氟化钠治疗的患牙,即 刻有效率为76%,两者有显著性差异(P<0.01)。扫描电镜显示,用半导体激 光仪照 射后,牙本质小管口被封闭。结论 半导体激光治疗为一种安全、有效、 方便的牙本质过敏症的治疗方法。
牙本质过敏症是临床上比较常见、难以治愈的牙体疾病。本研究从临床上观察半导体激光对牙本质过敏症的脱敏作用,并且通过扫描电镜,观察半导体激光照射后的牙本质表面的形态改变,为临床治疗该症提供一种新的方法。
1 材料和方法
1.1 半导体激光仪治疗的临床实验 1.1.1 病例选择 选择由磨损所致的咬合面牙本质暴露的过 敏症患者,无龋及其它非龋性疾病,且牙髓、根尖、牙周及全身条件较好的门诊病人56例, 年龄23~70岁,男19例,女37例,受试牙共100颗,其中实验牙50颗,对照牙50颗。牙 位分布见表1。 1.1.2 材料 实验组采用MDC—500型半导体激光仪,其波长 为830nm,激光输出功率最高达500mV,光班直径5mm。对照组用临床上常用的75%氟化钠甘油 局部涂布脱敏。 1.1.3 操作方法 实验组A:常规隔湿,吹干,用半导体激光仪的光导纤维头对准敏感区,照射180s,波长830nm,激光能量300mV(其中光导纤维棒的传输率为70%,故实际工作能量为210mV)。对照组B:常规隔湿,吹干,在敏感区用蘸有75%氟化钠甘油的小棉球擦拭120s。治疗前后用探针探测敏感区范围,评定疗效。操作均由同一名医生完成。 1.1.4 疗效评定标准 疼痛程度判断采用石川修二的评定标准[1]。3度:可诱发难以忍受的疼痛;2度:可忍受的疼痛;1度:疼痛较轻微;0度:冷和机械刺激无疼痛。 疗效评定 显效:治疗前后度数差≥2;有效:治疗前后度数差1;无效:治疗前后度数差值为0。 1.2 半导体激光仪照射后的牙面扫描电镜观察 取本院口腔外科局麻下拔除的埋伏阻生牙1颗,立即蒸馏水冲洗干净,去除表面血迹和软组织,然后置2.5%戊二醛液内备用。该牙根面无龋、无损,用金钢砂片将牙冠从釉牙骨质界处截去,以金钢钻磨去根面牙骨质,再用金钢石砂片从离釉牙骨质界3mm处截取一个牙本质片,厚约3mm。后沿牙根长轴方向将其均剖为二。第一片不作任何处理,为对照组。第二片牙本质表面用半导体激光仪照射3min、300mV,作为实验组。
2 结果 2.1 半导体激光临床脱敏疗效 激光照射组(A组)与常规氟化 甘油治疗组(B组)的疗效比较见表2。经卡方检验表明,激光照射的有效率明显高于氟化钠 涂布治疗(P<0.01)。
表2 两组治疗后不同时间的有效率比较 Tab.2 The efficiency of both groups
测定 时间 |
显效(牙数 |
有效(牙数) |
无效(牙数) |
有效率(%) |
A组 |
B组 |
A组 |
B组 |
A组 |
B组 |
A组 |
B组 |
P值 |
即刻 |
38 |
0 |
10 |
38 |
2 |
12 |
96.00 |
76.00 |
<0.01 |
1周 |
37 |
0 |
10 |
37 |
2 |
12 |
95.91 |
75.51 |
<0.01 |
2周 |
34 |
0 |
9 |
23 |
2 |
12 |
95.59 |
75.53 |
<0.01 |
1月 |
28 |
0 |
8 |
26 |
6 |
16 |
85.71 |
61.90 |
<0.05 |
2.2 半导体激光照射后的牙面扫描电镜表现 空白对照组牙表 面完整,牙本质小管开放,实验组牙本质小管口被封闭,见附图。
 
附图 A、B组牙面扫描电镜表现 ①A组显示牙本质小管开放;②B组显示牙本质小管封闭 Fig. SEM showed
①the opening of the dentinal tubele in control group;②the sealing of the dentinal tubule
3 讨论 关于牙本质过敏的机理有3种学说,即神经感受学说,成牙本质组织学说和流体动力学说[2]。目前,多数学者倾向于液体动力学说。液体动力学的 重要意义在于它说明任何能减少牙本质小管内液流量的方法,均可缓解牙本质过敏的症状,降低牙本质的通透性是目前治疗牙本质过敏症的主要方法[3]。 本实验用半导体激光仪局部照射,即刻有效率达96%。观察1月后,其有效率仍达85.71%,与对照组相比差异显著(P<0.05)。说明半导体激光仪治疗牙本质过敏的疗效优于常规氟化钠脱敏。而且,扫描电镜显示,经半导体激光仪照射后,牙本质小管被堵塞封闭。减少和避免了牙本质小管内液体的流动, 从而达到降低牙本质的通透性,减少牙本质过敏症的目的。目前认为,是激光瞬间产生 的高热效应,使牙本质表面的有机物变性和无机物熔融,而达到封闭牙本质小管的目的[4]。因此,作者认为半导体激光仪的脱敏原理也可能在此。 1月后患者再次出现症状的原因是多方面的。Pashley[5]报道,CO2激光造成牙本质熔融层的深度为5μm。但是有关半导体激光照射后产生的牙本质熔融层的厚度尚未定论。因此,经半导体激光脱敏后,为保护牙面熔融 层封闭牙本质小管的作用持久而不被很快磨损掉,临床上应采取适当的调牙 合,不用患牙咀嚼硬性食物,纠正夜磨牙习惯,不用硬的牙刷刷牙等措施。对于1月后复查时再次出现症状的患者,用半导体激发仪再次照射后即刻,症状又缓解,并且再次出现症状的时间延长,疗效维持时间延长。这说明,照射时间长或照射剂量增高,可能有利于提高疗效。 半导体激光仪治疗牙本质过敏的远期疗效有待进一步观察。MDC—500型半导体激光仪的波长可达830nm,其组织穿透力很强,作用较深,反复照射或提高照射剂量是否会对牙髓组织产生不良影响,其产生的牙本质熔融层厚度如何,以怎样的输出功率,才能产生最适合的厚度封闭牙本质小管,而不对牙髓产生影响,这些都有待于进一步研究。
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